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  Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強(qiáng)型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動器應(yīng)用。它們具有高開關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容，適合高速負(fù)載切換和模擬信號放大。與BJT相比，這些MOSFET在處理大電流時產(chǎn)生的熱量更少，有助于提高能效。它們適用于交換應(yīng)用、放大電路、斬波電路等多種場合，并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。

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  ARIZONA Capacitors W90系列高壓電容器3000V-150000kV 2025-01-07 08:51:33

  ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC，電容值最高可達(dá)2.000 μF，標(biāo)準(zhǔn)容差±10%；工作溫度范圍（G10外殼材料）按不同降額情況有所不同，全額定溫度時為 -55°C至60°C，30%降額時為 -55°C至85°C，50%降額時為 -55°C至105°C，75%降額時為 -55°C至125°C；絕緣電阻在25 - 50kΩ，1,000Hz下?lián)p耗因子小于0.6%，經(jīng)過130%額定電壓1分鐘測試，生產(chǎn)流程符合ISO 9001:2015認(rèn)證，符合MIL-STD-202測試標(biāo)準(zhǔn)，可按需符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。