Solitron Devices SD11710軍用級(jí)碳化硅MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-01-29 08:56:45 瀏覽:558
Solitron Devices推出的SD11710,是業(yè)界首款軍用級(jí)700V碳化硅 (SiC) N溝道功率MOSFET器件。
該SD11710采用極其堅(jiān)固的氣密密封 TO-258 封裝,專為最苛刻的工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用而設(shè)計(jì)。SD11710提供 RDS(開(kāi))16mΩ 和 50A 的連續(xù)漏極電流。也可根據(jù)要求提供 200°C 的工作溫度。
主要功能包括:
低電容和低柵極電荷
由于內(nèi)部柵極電阻 (ESR) 低,開(kāi)關(guān)速度快
在高結(jié)溫下穩(wěn)定工作,TJ(max) = 175 °C
快速可靠的體二極管
卓越的雪崩堅(jiān)固性
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開(kāi)關(guān)性能,且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低,效率水平比硅更高,因此在打開(kāi)和關(guān)閉階段需要的開(kāi)關(guān)功率更高,所需的能量更少。結(jié)合高開(kāi)關(guān)頻率,這意味著磁性元件更小,大大減輕了系統(tǒng)重量和尺寸。
堅(jiān)固的封裝與高溫運(yùn)行相結(jié)合,使該SD11710非常適合要求小尺寸、輕量和高效率的最苛刻的電源和電機(jī)控制應(yīng)用。
該SD11710提供 COTS、TX、TXV 和空間級(jí)篩選。樣品有現(xiàn)貨供應(yīng)。
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SD11461 是 Solitron Devices 生產(chǎn)的一款高性能 N 通道功率 MOSFET,具有 100V 漏源電壓和 35A 連續(xù)漏極電流,導(dǎo)通電阻低至 25mΩ,采用 TO-258/TO-254 封裝,支持快速開(kāi)關(guān)(如 15ns 開(kāi)啟延遲)和高功率耗散(147W)。其工作溫度范圍廣(-55°C 至 +150°C),適用于電源管理(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻應(yīng)用,電氣特性包括 2.0-4.0V 閾值電壓、87nC 柵極電荷,并集成高效源極二極管(1-1.5V 正向電壓)。封裝設(shè)計(jì)兼顧散熱與緊湊性,滿足工業(yè)和惡劣環(huán)境需求。
Rogers? IsoClad?917層壓板是非玻璃纖維布/PTFE復(fù)合材質(zhì),用來(lái)作為PCB基板,相對(duì)介電常數(shù)(Dk)為2.17或2.20。
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